کتاب الکترونیک 2 انتشارات پوران پژوهش

کتاب الکترونیک 2 انتشارات پوران پژوهش در بانک کتاب ایرانیان به فروش میرسد

در بایاس کردن هر طبقه تقویت کننده با چندین مقاومت و خازن، جریان بایاس تابعی از ولتاژ تغذیه و دمای محیط است. این نوع بایاس برای مدارهای مجتمع مناسب نیست زیرا در تکنولوژی مدارهای مجتمع، ساختن خازن های بزرگ تقریبا غیرممکن و ساختن مقاومتهای بزرگ پرهزینه است. بنابراین باید روش بایاس کردن متفاوتی انتخاب شود.

یکی از قابلیتهای مدارهای مجتمع این است که ساخت ترانزیستورها با تعداد زیاد و هزینه کمتر در آنها امکانپذیر است. بنابراین در مدارهای مجتمع برای بایاس از منابع جریان ثابت ترانزیستوری به سادگی قابل پیادهسازی هستند. FET و BJT استفاده میشود که توسط ترانزیستورهای در مدارهای میکرو الکترونیک، منبع جریان بسیار دقیق با جریان خروجی طلایی طراحی میشود و برای تولیدجریان طلایی یا مضربی از آن در نقاط دیگر مدار، از آینه های جریان استفاده میکنند.

ساختارهای زیادی برای منابع جریان آینهای وجود دارد و هر یک بسته به نوع کاربرد انتخاب میشود. هر یک از منابع جریان تحلیل الکترونیکی خاص خود را دارند، بنابراین در تحلیل منابع جریان ابتدا باید نوع منبع جریان را تشخیص داده و سپس دو پارامتر بسیار مهم جریان خروجی و مقاومت خروجی تعیین شود. البته در تحلیل کامل منابع جریان پارامترهایی مانند مقاومت ورودی، ولتاژ ورودی و حداقل ولتاژ خروجی لازم نیز محاسبه میشود.

لازم به ذکر است که در طول نگارش این فصل سعی بر آن بوده است تا مفاهیم به طور عمیق بیان و از آموزش بدون برهان و دلیل اجتناب شود و همچنین با ذکر مثالهای متنوع، علاوه بر آموزش تکنیکهای حل مساله، عمق یادگیری خواننده را تا حد امکان افزایش دهیم.